93Cxx系列，有两种模式，分别是8位模?和16位模式

对于 93Cxx 系列，有两种模式，分别是 8 位模式 和 16 位模式。
具体控制有芯片的第六脚控制（ORG），如果这个引脚接地，那么就是8 位模式
, D3 m) `' u  R3 {0 w如果这个引脚接正极或者悬空（内部上拉到正极），那么就是 16 位模式。
3 r7 d: B  L4 _- Z9 z  R至于区别在于同一个存储芯片，在不同的模式，读取的芯片数据顺序不同。
不过只要记住一点：以哪一种方式读取，一定要按那种方式写入。
举个例子：
" _, _7 V, a# `7 i8 D: ?假若存储器内部存储的数据为：
+ N6 ^" ~3 e. Q& p- U1011 0101 1110 1101 1011 0101 1110 1101 1011 0101 1110 1101 1011 0101 1110 1101
/ t2 h. r& T- C: ?9 D* a$ x存储器的最低位 ----------------> 一直向高位排列
2 w& N% u; \: ?$ w+ [首先确认一点，就是无论8 位模式 或者 16 位模式，
/ ]6 f( u& j' V6 MEEPROM 每次输出总是从高位开始（MSB优先）。
如果按照 8 位模式读取，也就是说，EEPROM 每次输出 8 位，结果为：
5 L5 K( j% T7 Y# x1011 0101 1110 1101 1011 0101 1110 1101 1011 0101 1110 1101 1011 0101 1110 1101
存储器的最低位 ----------------> 一直向高位排列
% `. u0 n: X2 B! ?, }- UAD B7 AD B7 AD B7 AD B7
0 r& r; X$ D0 N# w7 E- v/ \- W第一次输出对应为 1 0 1 0 1 1 0 1 ----〉AD
) |- j- [" c& [6 j7 l# v5 V第二次输出对应为 1 0 1 1 0 1 1 1 ----〉B7
4 R* b: C: [1 n第三次输出对应为 1 0 1 0 1 1 0 1 ----〉AD
2 {/ A4 ]+ d# |第四次输出对应为 1 0 1 1 0 1 1 1 ----〉B7
& i3 }: l/ {9 I0 s  e第五次输出对应为 1 0 1 0 1 1 0 1 ----〉AD
第六次输出对应为 1 0 1 1 0 1 1 1 ----〉B7
) c* K9 y' G0 t- }" e# x第七次输出对应为 1 0 1 0 1 1 0 1 ----〉AD
9 B+ {( r" P+ K# ^第八次输出对应为 1 0 1 1 0 1 1 1 ----〉B7
如果按照 16 位模式读取，也就是说，EEPROM 每次输出 16 位，结果为：
1011 0101 1110 1101 1011 0101 1110 1101 1011 0101 1110 1101 1011 0101 1110 1101
存储器的最低位 ----------------> 一直向高位排列
B7 AD B7 AD B7 AD B7 AD

6 X7 n. D& A% `/ Z. r第一次输出对应为 1 0 1 1 0 1 1 1 1 0 1 0 1 1 0 1 ----〉B7AD
第二次输出对应为 1 0 1 1 0 1 1 1 1 0 1 0 1 1 0 1 ----〉B7AD
第三次输出对应为 1 0 1 1 0 1 1 1 1 0 1 0 1 1 0 1 ----〉B7AD
3 U% F9 \3 s+ i% |; s, S+ y第四次输出对应为 1 0 1 1 0 1 1 1 1 0 1 0 1 1 0 1 ----〉B7AD



所以差别在于，数据显示的顺序不同：
AD B7 AD B7 AD B7 AD B7 - 8
: `$ i/ V8 ?( m3 [5 KB7 AD B7 AD B7 AD B7 AD - 16
不过有的编程器可以进行字节交换，所以如果读取和写入的模式不同
" m+ h: R3 i9 p' Y（可能数据来自其他人，他的操作模式和你的操作模式不同），只要
进行一次字节交换就可以了。

看一看，学习学习。